第十届新型金刚石与纳米碳材料国际学术会议在西安成功举办

宽禁带半导体 2018-12-09 12:39:39

2016522-26日,由国际NDNC执行委员会、西安交通大学、中国真空学会、陕西省科学技术协会、陕西省真空学会、单晶金刚石及其电子器件泛太平洋国际研发与产业联盟联合主办,西安交通大学、陕西省真空学会、西安电子科技大学、苏州大学和单晶金刚石及其电子器件泛太平洋国际研发与产业联盟共同承办第10届新型金刚石与纳米碳材料国际学术会议(NDNC2016)在西安威斯汀国际会议中心成功举办。


有来自不同国家和地区的350余位专家和学者参加此次国际研讨会。此次国际研讨会由著名光电子学专家侯洵院士、半导体专家王占国院士、固体润滑专家薛群基院士、超硬材料专家邹广田院士、宽禁带半导体专家郝跃院士和材料化学和物理专家李述汤院士担任大会名誉主席。大会主席由西安交通大学国家“千人计划”特聘专家、陕西省真空学会常务理事长王宏兴教授担任。西安交通大学王树国校长到会致欢迎词,中国真空学会常务副秘书长刘锋先生代表中国真空学会出席了此次大会。


新型金刚石与纳米碳材料国际学术会议(NDNC)是由两个著名的国际会议(应用金刚石会议ADC与金刚石新科技国际研讨会ICNDST)合并而成,于2006年在日本正式召开第一届会议。经过十余年的发展,该研讨会已经发展成为国际金刚石与碳材料领域的最高级学术会议之一。本次会议会期为四天,共安排1场诺贝尔奖获得者的大会特邀(Penary)报告,6场大会邀请(Keynote)报告,44个左右的分会邀请(Invited Speaker)报告,132个口头学术报告(Oral)和256个展板报告(Poster);此外,十多家公司与仪器厂商同时举办相关展示。


超宽禁带半导体金刚石集电学、光学、力学、声学、机械和热学等优异特性于一体,在高温、高效、超大功率微波毫米波电子器件,电力电子器件,生物传感器,光电探测与成像,粒子探测与成像,航空航天,微机械,量子通信与成像单光子源等系统方面有着极其重要的应用前景,被业界誉为“终极半导体”。金刚石电子器件相比其他半导体器件还具有体积小、集成度高和无需制冷的优势。在节能减排、打造绿色地球方面将发挥其独特的优势,将引发新一轮半导体技术的革命。金刚石基超宽禁带半导体材料和器件的研究和开发已成为当今世界工业和科技强国竞相占领的高科技制高点,是半导体科学、材料科学、高温电子学、兆瓦级固态电子学、超大功率密度微波、毫米波电子学的前沿研究领域。


此次会议为单晶金刚石材料、电子器件、金刚石单晶生长设备等相关领域的专家、学者、技术人员及企业家等提供了学术交流平台,加强国内外同行及企业家之间的相互了解和合作,共同促进国际单晶金刚石材料及其电子器件行业及相关行业的蓬勃发展。通过国内外各相关领域的专家学者的交流,展示了世界新型超宽禁带半导体及其新型碳材料研究领域的最新进展,新的实验方法和理论,进一步凝炼关键科学问题,归纳基本规律,提供理论依据和实验方法,全面推动以先进碳材料为基础的跨学科、跨领域的深入实质性的合作,促进我国单晶金刚石半导体材料及其电子器件研究平台的建设,并且通过共同努力,推动国际单晶金刚石及其电子器件研究的进步和发展,拓展该类先进电子材料与器件的应用与成果转化。

与会专家一致认为单晶金刚石要步入半导体大门,应重点突破高质量大面积单晶金刚石晶圆和电子器件级单晶金刚石薄膜的生长技术,这是单晶金刚石掺杂和走向应用的重要基础。此外,单晶金刚石的缺陷特性、掺杂、载流子输运调控及欧姆接触和肖特基接触也是单晶金刚石正式迈入半导体应用领域的准入证。同时,应将强金刚石与其他半导体形成异质结和异构结构方面的研究,开辟金刚石基半导体在能带工程和量子器件领域的新应用。

2016522-26日,由国际NDNC执行委员会、西安交通大学、中国真空学会、陕西省科学技术协会、陕西省真空学会、单晶金刚石及其电子器件泛太平洋国际研发与产业联盟联合主办,西安交通大学、陕西省真空学会、西安电子科技大学、苏州大学和单晶金刚石及其电子器件泛太平洋国际研发与产业联盟共同承办第10届新型金刚石与纳米碳材料国际学术会议(NDNC2016)在西安威斯汀国际会议中心成功举办。

有来自不同国家和地区的350余位专家和学者参加此次国际研讨会。此次国际研讨会由著名光电子学专家侯洵院士、半导体专家王占国院士、固体润滑专家薛群基院士、超硬材料专家邹广田院士、宽禁带半导体专家郝跃院士和材料化学和物理专家李述汤院士担任大会名誉主席。大会主席由西安交通大学国家“千人计划”特聘专家、陕西省真空学会常务理事长王宏兴教授担任。西安交通大学王树国校长到会致欢迎词,中国真空学会常务副秘书长刘锋先生代表中国真空学会出席了此次大会。

新型金刚石与纳米碳材料国际学术会议(NDNC)是由两个著名的国际会议(应用金刚石会议ADC与金刚石新科技国际研讨会ICNDST)合并而成,于2006年在日本正式召开第一届会议。经过十余年的发展,该研讨会已经发展成为国际金刚石与碳材料领域的最高级学术会议之一。本次会议会期为四天,共安排1场诺贝尔奖获得者的大会特邀(Penary)报告,6场大会邀请(Keynote)报告,44个左右的分会邀请(Invited Speaker)报告,132个口头学术报告(Oral)和256个展板报告(Poster);此外,十多家公司与仪器厂商同时举办相关展示。

超宽禁带半导体金刚石集电学、光学、力学、声学、机械和热学等优异特性于一体,在高温、高效、超大功率微波毫米波电子器件,电力电子器件,生物传感器,光电探测与成像,粒子探测与成像,航空航天,微机械,量子通信与成像单光子源等系统方面有着极其重要的应用前景,被业界誉为“终极半导体”。金刚石电子器件相比其他半导体器件还具有体积小、集成度高和无需制冷的优势。在节能减排、打造绿色地球方面将发挥其独特的优势,将引发新一轮半导体技术的革命。金刚石基超宽禁带半导体材料和器件的研究和开发已成为当今世界工业和科技强国竞相占领的高科技制高点,是半导体科学、材料科学、高温电子学、兆瓦级固态电子学、超大功率密度微波、毫米波电子学的前沿研究领域。

此次会议为单晶金刚石材料、电子器件、金刚石单晶生长设备等相关领域的专家、学者、技术人员及企业家等提供了学术交流平台,加强国内外同行及企业家之间的相互了解和合作,共同促进国际单晶金刚石材料及其电子器件行业及相关行业的蓬勃发展。通过国内外各相关领域的专家学者的交流,展示了世界新型超宽禁带半导体及其新型碳材料研究领域的最新进展,新的实验方法和理论,进一步凝炼关键科学问题,归纳基本规律,提供理论依据和实验方法,全面推动以先进碳材料为基础的跨学科、跨领域的深入实质性的合作,促进我国单晶金刚石半导体材料及其电子器件研究平台的建设,并且通过共同努力,推动国际单晶金刚石及其电子器件研究的进步和发展,拓展该类先进电子材料与器件的应用与成果转化。

与会专家一致认为单晶金刚石要步入半导体大门,应重点突破高质量大面积单晶金刚石晶圆和电子器件级单晶金刚石薄膜的生长技术,这是单晶金刚石掺杂和走向应用的重要基础。此外,单晶金刚石的缺陷特性、掺杂、载流子输运调控及欧姆接触和肖特基接触也是单晶金刚石正式迈入半导体应用领域的准入证。同时,应将强金刚石与其他半导体形成异质结和异构结构方面的研究,开辟金刚石基半导体在能带工程和量子器件领域的新应用。